DH-PECVD 等離子增強管式爐
為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種 CVD 稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
輝光放電等離子體中：電子密度高 10 9 -10 12 /cm, 電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出 10-100倍。
主要技術(shù)指標(biāo)
為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行，利用了等離子體的活性來促進(jìn)反應(yīng)，因而這種 CVD 稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
輝光放電等離子體中：電子密度高 10 9 -10 12 /cm, 電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出 10-100倍。
主要技術(shù)指標(biāo)
